晶圆上的稀疏抽样

电子束计量的创新使模式控制的新剧本

半导体行业正在发生变化。我们到处都看到它。计划在几十年来最大的FAB容量扩展到位。经典摩尔的定律缩放不再像时俱进。云服务提供商正在设计许多自己的筹码。这些宏观变化越来越多地改变了工厂的技术变化越复杂,而且它们都是同一行业转型到未来的一部分。

您无法与昨天的Fab流程制作明天的领先芯片。我的以前的博客突出显示图案控制的主要拐点,因为传统的光学叠加工具和技术,半导体工业已经使用数十年来减少对准误差不再足够精确,用于下一代高级逻辑和内存芯片。直言不讳地说:你无法修复你无法衡量的东西,你无法衡量你看不到的东西。该行业需要在计量学中突破,以实现最佳的芯片性能,电力,区域和成本和加速到市场(PPACT™)。

今天,应用材料beplay手机官网app公司将介绍用于图案化控制的新戏剧这是我们在电子束流计量方面的最新创新——Provision®3E系统.该系统独特的技术特点使行业从:

  • 基于光学目标的近似实际,在设备上的计量
  • 有限的统计抽样到大规模的,穿过晶圆取样
  • 从单层控制到三维综合多层控制


如果你看不见它,你就无法调整它

提供3E系统可帮助客户解决对调整构成高级芯片关键层的数十亿个功能的令人难以置信的挑战。在几代特征尺寸减少后,采用多地位,以及引入良好的3D结构,导致层间应力和扭曲,放置误差的公差都没有但是消失。

面向掩模的光学技术长期以来一直被用于确保对准,但却无法看到、诊断和纠正一旦芯片制造商承诺将预期的图案蚀刻到昂贵的晶圆上时发生的定位错误。无法快速识别和修复定位错误,减缓了流程研发和上市时间。

新比赛簿的计量突破

PROVision 3E系统提供了业界有史以来最好的分辨率、测量精度、速度和透层成像组合,实现了模式控制的新方案。

First, engineers can transition from optical target-based approximation to actual, on-device measurement, taking advantage of the PROVision 3E system’s nanometer resolution which can take discrete measurements down to a specific gate—and the decades of CD SEM industry experience that are reflected in the new system’s architecture.

图1:从基于光学目标的近似到实际,设备上的测量。
图1:从基于光学目标的近似到实际,设备上的测量。


其次,工程师可以使用有限的统计采样从有限的统计抽样移动到跨晶圆取样,使用提供3E系统的速度,每小时产生1000万准确,可操作的测量。大规模采样显示“过程签名”,与工程师可以解决的具体流程步骤有关的变化问题。

图2:从有限的统计采样到大规模的跨晶圆采样。
图2:从有限的统计采样到大规模的跨晶圆采样。


第三,工程师可以从单层模式控制推进到多层一体化控制。PROVision 3E中的“E”代表Applied的Elluminator®技术,该技术高效地收集高能背散射电子,快速成像并同时测量晶圆片多层的关键尺寸和边缘位置。

图3:综合多层控制。
图3:综合多层控制。


已经在工作,衡量未来

今天正式启动,我们的领先的铸造逻辑,DRAM和NAND客户已经使用了3E系统。

PROVision 3E系统也是Applied公司的一个关键组件AI.X™(可操作的Insight Accelerator)平台它帮助客户在从研发到斜坡和大批量制造的各个阶段加速新芯片技术的开发(见图4)。关键是PROVision 3E系统通过其令人难以置信的分辨率、速度和多层测量能力生成大量数据。这为AI提供了信息X分析平台具有可操作数据,可提供具有可操作洞察力的工程师,他们需要加速过程开发。

图4:PROVision 3E系统是Applied公司AIx平台的一个关键组件,该平台结合了过程技术、传感器、计量和数据分析,以加速从研发到批量生产的过程开发。
图4:PROVision 3E系统是Applied公司AIx平台的一个关键组件,该平台结合了过程技术、传感器、计量和数据分析,以加速从研发到批量生产的过程开发。


PROVision 3E系统展示了电子束技术如何被客户用来克服复杂性,加快研发和上市时间。查看应用的2021过程控制和ApplicationPro™主类要学习更多的知识。

收到收件箱中的更新!

现在就订阅

想加入讨论吗?

添加新评论:*

你也可以填写这个形式请直接与我们联络,我们会尽快与您联络。